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封裝是制造光電器件的關(guān)鍵過程，它直接影響器件的性能，可靠性和生產(chǎn)成本。目前，還沒有用于陶瓷基板性能測試的行業(yè)標準。需要測試的項目主要有：外觀，機械性能，熱性能，電性能，封裝性能和可靠性等幾個方面。
陶瓷基板的電性能主要是指基板正面和背面的金屬層是否導電（內(nèi)部通孔的質(zhì)量是否良好）。由于DPC陶瓷基板通孔的直徑較小，因此在電鍍和填充孔的過程中可能出現(xiàn)諸如未填充的氣孔缺陷。一般可采用X射線檢測設備對其進行質(zhì)量檢測，X射線無損檢測最大的有點是直觀、快速。
以IGBT封裝為例，由于IGBT的高輸出功率，發(fā)熱大，散熱不良會損壞IGBT芯片，散熱是IGBT封裝的關(guān)鍵技術(shù)，必須采用陶瓷基板來加強散熱。IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，原因在于DBC基板金屬線路層較厚，具有高導熱、高耐熱、高絕緣、高強度、低熱脹、耐腐蝕及抗輻射等特點，它廣泛用于功率設備和高溫電子設備的封裝。
封裝后的IGBT需要進行X射線無損檢測，對封裝過程中可能出現(xiàn)的焊點缺陷進行判斷識別，從而剔除存在虛焊、漏焊等缺陷的產(chǎn)品。隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，功率器件將逐步向大功率，小型化，集成化和多功能化方向發(fā)展。對用于封裝的陶瓷基板的性能也提出了更高的要求，也對其檢測加大了難度。
陶瓷基板高精度與小型化決定了我們必須不斷提高陶瓷基板線路層加工精度(線寬/線距)。X射線檢測設備的精度隨著電子器件的精細化發(fā)展而提高，以便及時適應產(chǎn)線的需求。
陶瓷基板集成化，一般而言，TPC、DBC 和AMB陶瓷基板只適合制備單面線路層(或雙面線路層，但上下層不導通)。如果要實現(xiàn)上下層導通，需要先激光打孔(孔徑一般大于200μm)，然后孔內(nèi)填充金屬漿料后燒結(jié)而成，孔內(nèi)金屬層導電、導熱性差，基板可靠性低。集成化意味著產(chǎn)品檢測形態(tài)的復雜性，因此X射線3D斷層掃描成像被應用在這類電子器件的封裝檢測中，這種檢測技術(shù)可以有效的避免集成化程度高的電子器件的圖像重疊和遮擋。
DPC陶瓷基板使用激光鉆孔和電鍍孔填充技術(shù)來制備金屬通孔。由于孔被電鍍并填充有致密的銅柱，導電性和導熱性**，因此可以實現(xiàn)陶瓷基板上下電路層的垂直互連。隨著GaN，SiC，AlN和其他技術(shù)的第三代半導體的發(fā)展，功率器件已開始在半導體照明，電力電子，微波射頻，5G通信，新能源和新能源汽車等領(lǐng)域迅速發(fā)展，并且對陶瓷基板的需求激增。
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